Scheda Progetto

Il progetto si propone di sviluppare tecnologie abilitanti per componenti microelettronici e microelettromeccanici per la trasmissione e ricezione di segnali per apparati radar di nuova generazione, rispondenti ai requisiti di larga banda, alta potenza, alta velocità ed alta integrazione, nonché dei relativi packaging orientati alla specifica applicazione, in particolare: - Tecnologie di progettazione, simulazione, realizzazione del back-side di dispositivi HEMT in GaN/AlGaN epitassiale su substrati di Carburo di Silicio e Silicio a bassa resistività termica. - Tecnologie di progettazione, simulazione, realizzazione e test di phase shifter a 5 o 6 bit basati su RF Switch in tecnologia MEMS operanti con bassa perdita di inserzione e con alto isolamento RF fino a frequenze della banda Ka. - Tecnologie per packaging innovativo dei dispositivi RF attivi e passivi: packaging su substrati ceramici ad alta conducibilità termica per i dispositivi attivi di potenza, packaging microelettronico 0-level per i dispositivi complessi di controllo della fase del segnale RF con tecnologia che consenta un facile assemblaggio del componente sulle board di integrazione, e packaging a basso costo su substrati polimerici flessibili per quei componenti che hanno requisiti di dissipazione di potenza meno stringenti. I risultati da conseguire riguardano la realizzazione di dimostratori specifici: - un brick in banda S di potenza (46 dBm) basato su HPA con transitori HEMT al GaN/SiC incapsulato su un PCB in AlN microlavorato e quindi in opportuno package metallico di tipo innovativo ed ermetico. - Un phase shifter operante fino a 30 GHz a 5 bit incapsulato in package low-cost basato su materiale LCP/RF-grade.